台积电工艺线路图:16纳米防守10纳米反击:万家娱乐

企业新闻 | 2020-12-31

万家娱乐:铸造制造商TSMC最近宣布,将发布16纳米鳍片场效应晶体管工艺的简化和低功耗版本,并发布其更先进设备纳米技术的蓝图;TSMC预计从今年年中开始大规模生产最近的16纳米鳍片工艺,并在2016年生产10纳米工艺。在每月大规模生产20纳米芯片后,TSMC宣布将在2015年年中开始大规模生产16FF技术。该公司还回应称,使用这种新技术的芯片性能可提高10%,功耗比20纳米芯片低50%,循环时间是20纳米芯片的两倍。

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TSMC联合首席执行官马克刘在美国硅谷举行的年度技术会议上回应道。到今年年底,该公司的新技术将有多达50个芯片输出,包括处理器、图形处理单元(GPU)以及汽车和网络处理器中的应用。我们正处于一个关键时期——今天我们不仅需要促进各自公司的繁荣,还需要促进寻找过去不存在的新公司;刘德银回应:我们的消费产品周期没有太大变化,只是改变了产品设计和技术开发的节奏。

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在同样的时间框架下,必须完成更多的工作。刘德银认为,TSMC已经与ARM合作开发了Cortex-A72处理器内核,采用16FF工艺使其性能超过Cortex-A15的3.5倍,同时功耗提高了75%;他还认为,TSMC和ARM将在下一个流程节点进行合作。TSMC还开发了16纳米鳍片场效应晶体管工艺的紧凑型版本,名为16FFC,针对低端智能手机、消费电子产品和可穿戴设备;这个过程可以降低高达50%的功耗,超过0.55伏,预计在2016年下半年开始植入产品。

就16FF和16FF而言,在成本方面出现了一些重大挑战,我们预计每门成本不会增加;市场研究机构国际商业统计(International Business Statistics)首席执行官韩德尔约恩斯(HandelJones)回应称:我指出,他们已经通过16FFC流程否认了这一点,16FFC不会引起太多关注,尤其是因为他们可以获得一个低功耗版本。长期以来,TSMC和三星仍在16/14纳米节点上相互竞争——TSMC的16纳米工艺与其他同行的14纳米工艺性能相似,而三星在今年的世界移动通信大会(MWC)上宣布,其GalaxyS6智能手机将使用14纳米芯片。

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TSMC导演不愿意多评论市场竞争,从芯片产量可以看出最后谁是赢家。三星声称他们已经开始量产(14 nm工艺),但我们还没有看到任何实际产品;国际商业战略的琼斯提到了Exynos芯片:如果三星目前明显开始量产,他们将领先于TSMC。10纳米工艺节点watch TSMC的16纳米工艺技术有望在今年夏天量产,公司也发布了备受期待的10纳米工艺方案;10纳米工艺的逻辑门密度不是16纳米工艺的2.1倍,速度提高20%,功耗降低40%。

TSMC展示了具有10纳米节点的256兆字节静态随机存取存储器。预计10 nm节点将于2016年底开始生产,并透露有10多个合作伙伴,因此将开发不同的终端设计。我们指出,10纳米不是一个长期的技术节点,TSMC也将加快10纳米工艺工程的进度。

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我指出这对于行业来说是一个非常好的征兆;琼斯回应道:随着10纳米节点的加速——他们最终可能无法进入8纳米节点——TSMC将加深与英特尔的差距。我指出TSMC运气很好。。

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