万家娱乐_多晶硅铸锭的晶体生长过程

企业新闻 | 2021-03-21

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真空熔炼后,稳定冷却后,转向定向冷凝阶段。这个过程不仅是多晶硅的晶体生长过程,也是可重复使用材料和冶金多晶硅材料中所含杂质的进一步制备。(1)硅液中杂质的定向凝结和分离当硅液从底部开始凝结时,杂质往往会向液体内移动,停留在液体内。

这种现象叫做隔离现象。当固液界面稳定时,液体中杂质的量与液体中杂质的量之比称为偏析系数。

当进行定向凝固时,偏析系数大于1的杂质倾向于向顶部富集。富集的数量和程度,以及分离系数的数量。

一般来说,金属杂质的偏析系数在10-3以下(铝约为0.08),定向冷凝去除杂质更有效;硼和磷的偏析系数分别为0.8和0.36,因此硼和磷的偏析现象不太明显。在定向凝固制备的同时,考虑到万家娱乐注册登录硅的生长过程,需要将定向凝固的硅还原成多晶硅铸锭并切片,这意味着制备和铸锭已经在一个工艺过程中完成。这也是普罗沃铸锭炉最重要的制备方法。

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由于硅和含杂质的低纯度材料的结晶和熔融性质没有太大差别,铸锭炉使用的热场与纯铸锭炉不同。目前,ProNew Energy公司利用自己的铸锭制备一体化专利设计成功解决了这个问题,使真空熔炼和铸锭一次完成,不仅很好地解决了制备问题,还成功完成了铸锭的报废。

(2)晶体生长过程中的定向冷凝分为以下四个阶段,也包括:晶体胚形成、多晶生长、顶盖、热处理和加热。熔炼后,硅溶液的温度应降低到1440左右一段时间,然后将坩埚底部加热到熔点以下6-10左右,即1404-1408左右。降低RDS4.0炉体炉底温度的方法是降低炉底功率,逐步关闭炉底热功率。

与传统的铸锭炉增加绝热体和冷却体的方式相比,底部温度分布更均匀,因为没有加热四周然后逐渐到达中心的过程。铸锭过程中,底部红外测温的数据几乎不是硅液底部的温度,因为每隔一年测量点和坩埚底部的硅液之间至少有一层坩埚,所以红外温度只能参考,或者应该根据每个炉的经验数据。

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此时底部在熔点以下不会形成过冷液体,并且由于坩埚底部的织构分布不均匀,部分颗粒不会形成晶核,也就是说这些颗粒不会先凝结形成晶体。这些颗粒可能是坩埚上明显的不均匀分布点,也可能是坩埚的凸起。因为取向比其他取向低,所以冷却时温度不会低。

晶核形成后,由于太阳能电池必须是径向尺寸较小的柱状晶体,最糟糕的是一旦形成就不能让晶核立即向下生长,这样晶粒就不会太细;而是先形成晶核,然后在坩埚底部纵向生长,再分成一定尺寸后向下生长。这样,拒绝坩埚底部的温度保持稳定,并且在上升到略低于熔点之后仍然上升。

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这样坩埚底部的晶核形成后,由于向下生长时温度过高,无法垂直生长。晶核形成之初,由于坩埚底部分布不均匀,晶核的形成也不均匀,有的地方比较致密。这些晶核纵向生长时,如果宽到一定程度,就不会相遇。

见面后,因为成长的力量,他们会拥抱 有时,这种阻力可能会使与坩埚底部熔合的不稳定的晶片破裂,从而使稳定的晶片在破裂丢弃的晶片留下的间隙之后不会生长,直到整个底部被晶片覆盖,然后它们彼此破裂,从而使所有的晶片不能开始向下生长。这时,每一个开始向下变宽的片状晶体称为晶体胚。这就是晶体胚形成的过程。

当一些晶片由于锅底晶核的竞争而破裂时,这些晶片由于重量较重,直到浮到硅液表面才会上浮。由于晶圆温度低,不会造成红外温度计温度过高,但一般融化很快,所以温度不会恢复。这样向上的尖峰就不会经常出现在温度曲线上。

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